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SQJB40EP-T1_GE3

产品描述MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小201KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SQJB40EP-T1_GE3在线购买

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SQJB40EP-T1_GE3概述

MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB40EP-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PowerPAK-SO-8L-4
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40 V, 40 V
Id - Continuous Drain Current30 A, 30 A
Rds On - Drain-Source Resistance6.3 mOhms, 6.3 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.2 V, 1.2 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V, 20 V
Qg - Gate Charge35 nC, 35 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationDual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
34 W
Channel ModeEnhancement
资格
Qualification
AEC-Q101
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.04 mm
长度
Length
6.15 mm
Transistor Type2 N-Channel
宽度
Width
5.13 mm
Forward Transconductance - Min48 S, 48 S
Fall Time15 ns, 15 ns
Rise Time20 ns, 20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time18 ns, 18 ns
Typical Turn-On Delay Time7 ns, 7 ns
单位重量
Unit Weight
0.017870 oz
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