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KST64

产品描述Darlington Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KST64概述

Darlington Transistor

KST64规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)20000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
Base Number Matches1

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KST63/64
KST63/64
Darlington Transistor
3
2
1
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
Parameter
Value
-30
-30
-10
-500
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
: KST63
: KST64
: KST63
: K ST64
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
I
C
= -100mA, I
B
= -0.1mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
f=100MHz
125
5K
10K
10K
20K
-1.5
-2.0
V
V
MHz
Test Condition
I
C
= -100, V
BE
=0
V
CE
= -30V, I
E
=0
V
EB
= -10V, I
C
=0
Min.
-30
Max.
-100
-100
Units
V
nA
nA
* Pulse test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%
Marking Code
Type
Mark
KST63
2U
KST64
2V
Marking
2U
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002

KST64相似产品对比

KST64 KST63
描述 Darlington Transistor Darlington Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 20000 10000
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz

 
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