SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 72 18M
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, |
针数 | 209 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 8 weeks |
最长访问时间 | 2.3 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B209 |
长度 | 22 mm |
内存密度 | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 72 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 209 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX72 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.7 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm |
GS816273CC-300 | GS816273CC-300I | GS816273CC-250 | GS816273CGC-300I | GS816273CC-250I | |
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描述 | SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 72 18M | SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 72 18M | SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 72 18M | SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 72 18M | SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 72 18M |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | LBGA, | LBGA, | LBGA, | LBGA, | LBGA, |
针数 | 209 | 209 | 209 | 209 | 209 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 8 weeks | 8 weeks | 8 weeks | 8 weeks | 8 weeks |
最长访问时间 | 2.3 ns | 2.3 ns | 2.5 ns | 2.3 ns | 2.5 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY | PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY | PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY | PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY | PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 |
长度 | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm |
内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 72 | 72 | 72 | 72 | 72 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 209 | 209 | 209 | 209 | 209 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | - | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 256KX72 | 256KX72 | 256KX72 | 256KX72 | 256KX72 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA | LBGA | LBGA | LBGA | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.7 mm | 1.7 mm | 1.7 mm | 1.7 mm | 1.7 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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