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CAT28LV65NA-20T

产品描述8K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小72KB,共12页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
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CAT28LV65NA-20T概述

8K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PDSO28

8K × 8 电可擦除只读存储器 3V, 250 ns, PDSO28

CAT28LV65NA-20T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小32 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
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