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DTA114EEBHZGTL

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP SOT-416FL 10kO Input Resist
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共7页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTA114EEBHZGTL概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP SOT-416FL 10kO Input Resist

DTA114EEBHZGTL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SC-89, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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