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CD74HC10EE4

产品描述Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小258KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CD74HC10EE4概述

Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate

CD74HC10EE4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-14
针数14
Reach Compliance Codeunknown
系列HC/UH
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e4
长度19.305 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量3
输入次数3
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup30 ns
传播延迟(tpd)150 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

CD74HC10EE4相似产品对比

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描述 Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate Logic Gates Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-14 GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14 SOP, SOP14,.25 SOP, SOP14,.25 GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14 GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14
针数 14 14 14 14 14 14
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknow unknown unknown
系列 HC/UH HCT HCT HCT HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4
长度 19.305 mm 8.65 mm 8.65 mm 8.65 mm 8.65 mm 8.65 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
功能数量 3 3 3 3 3 3
输入次数 3 3 3 3 3 3
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP SOP SOP SOP
封装等效代码 DIP14,.3 SOP14,.25 SOP14,.25 SOP14,.25 SOP14,.25 SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TAPE AND REEL TUBE TAPE AND REEL TAPE AND REEL TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 260 260 260
电源 2/6 V 5 V 5 V 5 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 150 ns 36 ns 36 ns 36 ns 150 ns 150 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO NO
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 5 V 5 V 5 V 4.5 V 4.5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm
湿度敏感等级 - 1 1 1 1 1

 
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