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GS8322Z18AB-375M: 产品描述ZBT SRAM, 2MX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小542KB，共34页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8322Z18AB-375M概述

ZBT SRAM, 2MX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119

GS8322Z18AB-375M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1155411610
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Taiwan
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	24 weeks
YTEOL	6.2
最长访问时间	4.2 ns
其他特性	ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE
最大时钟频率 (fCLK)	375 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	119
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm
最大待机电流	0.09 A
最小待机电流	2.3 V
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

GS8322Z18AB-375M相似产品对比

	GS8322Z18AB-375M	GS8322Z36AD-375M	GS8322Z36AB-375M	GS8322Z18AD-375M
描述	ZBT SRAM, 2MX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M	SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M	SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	LBGA, BGA165,11X15,40	BGA, BGA119,7X17,50	LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns
其他特性	ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE	ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE	ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE	ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE
最大时钟频率 (fCLK)	375 MHz	375 MHz	375 MHz	375 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165
长度	22 mm	15 mm	22 mm	15 mm
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	36	36	18
功能数量	1	1	1	1
端子数量	119	165	119	165
字数	2097152 words	1048576 words	1048576 words	2097152 words
字数代码	2000000	1000000	1000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2MX18	1MX36	1MX36	2MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LBGA	BGA	LBGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA165,11X15,40	BGA119,7X17,50	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm	1.4 mm	1.99 mm	1.4 mm
最大待机电流	0.09 A	0.09 A	0.09 A	0.09 A
最小待机电流	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
最大压摆率	0.36 mA	0.4 mA	0.4 mA	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1 mm	1.27 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	13 mm	14 mm	13 mm
Factory Lead Time	24 weeks	8 weeks	-	8 weeks
厂商名称	-	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
电源	-	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V

GS8322Z18AB-375M

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