SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | GSI Technology |
| 包装说明 | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 最长访问时间 | 4.2 ns |
| 其他特性 | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 375 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1MX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 2.5/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.09 A |
| 最小待机电流 | 2.3 V |
| 最大压摆率 | 0.4 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 13 mm |
| GS8322Z36AD-375M | GS8322Z18AB-375M | GS8322Z36AB-375M | GS8322Z18AD-375M | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M | ZBT SRAM, 2MX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 | SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M | SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | LBGA, BGA165,11X15,40 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 4.2 ns | 4.2 ns | 4.2 ns | 4.2 ns |
| 其他特性 | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY; PIPELINE MODE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 375 MHz | 375 MHz | 375 MHz | 375 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 15 mm | 22 mm | 22 mm | 15 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 18 | 36 | 18 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 165 | 119 | 119 | 165 |
| 字数 | 1048576 words | 2097152 words | 1048576 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 1000000 | 2000000 | 1000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 1MX36 | 2MX18 | 1MX36 | 2MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA | BGA | BGA | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm | 1.99 mm | 1.99 mm | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.09 A | 0.09 A | 0.09 A | 0.09 A |
| 最小待机电流 | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
| 最大压摆率 | 0.4 mA | 0.36 mA | 0.4 mA | 0.36 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 13 mm | 14 mm | 14 mm | 13 mm |
| 厂商名称 | GSI Technology | - | GSI Technology | GSI Technology |
| Factory Lead Time | 8 weeks | 24 weeks | - | 8 weeks |
| 电源 | 2.5/3.3 V | - | 2.5/3.3 V | 2.5/3.3 V |
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