IFF450B12ME4P_B11
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC/
Strommesswiderstand
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC/
currentsenseshunt
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 450A / I
CRM
= 900A
PotentielleAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• USV-Systeme
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• IntegrierterStromsensor
• NiedrigesV
CEsat
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• HoheLeistungsdichte
• IsolierteBodenplatte
• PressFITVerbindungstechnik
•
Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
PotentialApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• Servodrives
• UPSsystems
• Windturbines
ElectricalFeatures
• Integratedcurrentsensor
• LowV
CEsat
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• Highpowerdensity
• Isolatedbaseplate
• PressFITcontacttechnology
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.1
2017-12-01
IFF450B12ME4P_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 65°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
450
900
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,17
0,19
0,19
0,05
0,05
0,06
0,37
0,46
0,49
0,08
0,18
0,20
17,0
30,0
35,5
36,0
54,0
60,0
1800
5,25
typ.
1,75
2,00
2,05
5,80
3,30
1,7
28,0
1,55
3,0
400
max.
2,10
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,0959 K/W
-40
150
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 450 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 450 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 450 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 17,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,62
Ω
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,62
Ω
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,62
Ω
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,62
Ω
6,35
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 7750 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 0,62
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 0,62
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
2
V3.1
2017-12-01
IFF450B12ME4P_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
450
900
28000
25000
typ.
1,80
1,75
1,70
395
455
460
50,0
84,5
98,5
26,5
41,5
46,5
max.
2,35
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,136 K/W
-40
150
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 450 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 450 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 450 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 450 A, - di
F
/dt = 7750 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 450 A, - di
F
/dt = 7750 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 450 A, - di
F
/dt = 7750 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
Strommesswiderstand/Shunt
Nennwiderstand
Ratedresistance
Temperaturkoeffizient
Temperaturecoefficient(tcr)
BelastbarkeitproShunt-Widerstand
Loadcapacitypershunt-resistor
BetriebstemperaturShunt-Widerstand
Operationtemperatureshunt-resistor
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proShunt-Widerstand/pershunt-resistor
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
T
H
= 20°C
20°C - 60°C
T
H
= 80°C
P
T
tvjop
R
thJH
R
20
min.
typ.
0,33
< 30
max.
mΩ
ppm/K
40
200
3,0
W
°C
K/W
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
NTC
= 25°C
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
NTC
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.1
2017-12-01
IFF450B12ME4P_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
H
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
T
BPmax
M
M
G
3,00
3,0
-
345
-40
2,5
Cu
Al
2
O
3
14,5
13,0
12,5
10,0
> 200
typ.
20
1,15
125
125
6,00
6,0
max.
nH
mΩ
°C
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
Datasheet
4
V3.1
2017-12-01
IFF450B12ME4P_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
900
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
750
750
600
600
I
C
[A]
450
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
450
300
300
150
150
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=0.62Ω,R
Goff
=0.62Ω,V
CE
=600V
160
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
140
750
120
600
100
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
I
C
[A]
450
80
60
300
40
150
20
0
0
0
150
300
450
I
C
[A]
600
750
900
Datasheet
5
V3.1
2017-12-01
嵌入式系统
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