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BR220F_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小275KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BR220F_R1_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN

BR220F_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMAF, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BR28F SERIES
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• Ultra Thin Profile Package for Space Constrained Utilization
• Package suitable for Automated Handling
• Lead free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
80-200 Volts
CURRENT
2 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: plastic molded
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx. Weight: 0.0012 ounces, 0.0328 grams
• Polarity : Color band denotes cathode end
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAME T E R
Rec urre nt P e a k Revers e Vo lt ag e
RMS Vo lta ge
DC B lo c k i ng Vo lta ge
A vera g e F o rwa rd C urrent
P ea k F o rwa rd S urge C urrent : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp os e d on ra te d loa d (J E D E C me tho d )
F o rwa rd Vo lta g e a t 2 .0 A
DC Re ve rs e C urre nt a t Ra te d DC B lo c k i ng Vo lta ge
Typi c al J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( V R=4V, f =1 MHz)
Typi c al The rma l Res i s ta nc e ,J unc ti o n to L ea d (No te 1 )
J unc ti o n t o A mb i e nt (No te 1 )
Op e ra ti ng J unc ti o n Temp e rat ure a nd S to ra g e Temp e rat ure Ra ng e
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
J
L
R
J
A
T
J
, T
S TG
75
20
150
-5 5 t o +1 50
0 .8
0 .0 5
60
45
O
BR 2 8 F
80
56
80
B R 2 9 F B R 2 10 F B R 2 1 5 F B R 2 2 0F U N IT S
90
63
90
100
70
100
2
50
0 .9
15 0
10 5
15 0
200
140
200
V
V
V
A
A
V
mA
pF
C / W
O
C
NOTES :
1. Mount ed on 48cm
2
copper pad area.
2. Mount ed on an FR4 P CB , singl e-si ded c opper, m ini pad.
October 25,2012-REV.01
PAGE . 1
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