电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BR93L76FJ-W

产品描述Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM
产品类别存储    存储   
文件大小315KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BR93L76FJ-W概述

Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM

BR93L76FJ-W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)2 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e2
长度4.9 mm
内存密度8192 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护SOFTWARE

BR93L76FJ-W相似产品对比

BR93L76FJ-W BR93L76F-W BR93L76RF-W BR93L76RFV-W BR93L76RFJ-W BR93L76RFVJ-W BR93L76RFVM-W BR93L76RFVT-W
描述 Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC MSOP SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP-8 SOP-8 SSOP-8 SOP-8 TSSOP-8 MSOP-8 TSSOP-8
针数 8 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2
长度 4.9 mm 5 mm 5 mm 4.4 mm 4.9 mm 3 mm 2.9 mm 4.4 mm
内存密度 8192 bi 8192 bi 8192 bi 8192 bi 8192 bi 8192 bi 8192 bi 8192 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8
字数 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512 512 512 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512X16 512X16 512X16 512X16 512X16 512X16 512X16 512X16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP SSOP SOP TSSOP VSSOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25 TSSOP8,.25 SOP8,.25 TSSOP8,.19 TSSOP8,.16 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5) Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10 10 10
宽度 3.9 mm 4.4 mm 4.4 mm 3 mm 3.9 mm 3 mm 2.8 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
座面最大高度 - 1.71 mm 1.6 mm 1.25 mm - 1.1 mm 0.9 mm 1.2 mm

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 209  290  346  696  1553 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved