Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e2 |
长度 | 5 mm |
内存密度 | 2048 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 128 words |
字数代码 | 128 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.0045 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
宽度 | 4.4 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | SOFTWARE |
BR93A56F-W | BR93A56-W | BR93A56FJ-W | BR93A56RF-W | BR93A56RFJ-W | |
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描述 | Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM | Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM | Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM | Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM | Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | - | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
零件包装代码 | SOIC | - | SOIC | SOIC | SOIC |
包装说明 | SOP-8 | - | SOP-8 | SOP-8 | SOP-8 |
针数 | 8 | - | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz | - | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 | - | 40 | 40 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | - | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e2 | - | e2 | e2 | e2 |
长度 | 5 mm | - | 4.9 mm | 5 mm | 4.9 mm |
内存密度 | 2048 bi | - | 2048 bi | 2048 bi | 2048 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | - | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 16 | - | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | - | 8 | 8 | 8 |
字数 | 128 words | - | 128 words | 128 words | 128 words |
字数代码 | 128 | - | 128 | 128 | 128 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 105 °C | - | 105 °C | 105 °C | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128X16 | - | 128X16 | 128X16 | 128X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | - | SOP | SOP | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | - | SOP8,.25 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL | - | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 260 | 260 | 260 |
电源 | 3/5 V | - | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
串行总线类型 | MICROWIRE | - | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.000002 A | - | 0.000002 A | 0.000002 A | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.0045 mA | - | 0.0045 mA | 0.0045 mA | 0.0045 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) | - | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | - | 10 | 10 | 10 |
宽度 | 4.4 mm | - | 3.9 mm | 4.4 mm | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | - | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
写保护 | SOFTWARE | - | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE |
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