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BR24L32FV-W: 产品描述I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM; 产品类别存储存储; 文件大小298KB，共6页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR24L32FV-W概述

I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM

BR24L32FV-W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	LSSOP, TSSOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2
长度	4.4 mm
内存密度	32768 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

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Order in Japan.

In case of export from Japan, please confirm if it applies to "objective" criteria or an "informed" (by MITI clause)

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Appendix1-Rev1.1

BR24L32FV-W相似产品对比

	BR24L32FV-W	BR24L32FJ-W	BR24L32F-W	BR24L32FVT-W
描述	I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM	I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM	I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM	I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	LSSOP, TSSOP8,.25	ROHS COMPLIANT, SOP-8	ROHS COMPLIANT, SOP-8	ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-J8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2
长度	4.4 mm	4.9 mm	5 mm	4.4 mm
内存密度	32768 bit	32768 bit	32768 bit	32768 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	4KX8	4KX8	4KX8	4KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LSSOP	SOJ	SOP	LSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm	1.775 mm	1.78 mm	1.25 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10
宽度	3 mm	3.9 mm	4.4 mm	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
Base Number Matches	1	1	1	1
数据保留时间-最小值	40	40	40	-
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	-
I2C控制字节	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR	-
封装等效代码	TSSOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	-
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V	-
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	-
最大压摆率	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	-
写保护	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE	-

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