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BR24L01AFJ-W

产品描述I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM
产品类别存储    存储   
文件大小310KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24L01AFJ-W概述

I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM

BR24L01AFJ-W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e2
长度4.9 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.65 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

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BR24L01AFJ-W相似产品对比

BR24L01AFJ-W BR24L01AF-W BR24L01AFV-W BR24L01AFVM-W BR24L01AFVT-W BR24L01AFVJ-W
描述 I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM I2C BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC MSOP SOIC SOIC
包装说明 SOP-8 LSOP, SOP8,.25 LSSOP, TSSOP8,.25 MSOP-8 TSSOP, TSSOP8,.25 TSSOP-8
针数 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2
长度 4.9 mm 5 mm 4.4 mm 2.9 mm 4.4 mm 3 mm
内存密度 1024 bi 1024 bi 1024 bi 1024 bi 1024 bi 1024 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
字数代码 128 128 128 128 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSOP LSOP LSSOP VSSOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 TSSOP8,.25 TSSOP8,.16 TSSOP8,.25 TSSOP8,.19
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.65 mm 1.71 mm 1.35 mm 0.9 mm 1.2 mm 1.1 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10
宽度 3.9 mm 4.4 mm 3 mm 2.8 mm 3 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
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