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GS8662Q36BGD-250I: 产品描述SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M; 产品类别存储存储; 文件大小456KB，共34页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS8662Q36BGD-250I概述

SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M

GS8662Q36BGD-250I规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.905 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

GS8662Q36BGD-250I相似产品对比

	GS8662Q36BGD-250I	GS8662Q36BGD-200I
描述	SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M	SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz	200 MHz
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1	e1
长度	15 mm	15 mm
内存密度	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	36	36
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	165	165
字数	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	2MX36	2MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm
最小待机电流	1.7 V	1.7 V
最大压摆率	0.905 mA	0.75 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm	13 mm

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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