SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 8 weeks |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 75497472 bit |
内存集成电路类型 | QDR SRAM |
内存宽度 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX36 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最小待机电流 | 1.7 V |
最大压摆率 | 0.75 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 13 mm |
GS8662Q36BGD-200I | GS8662Q36BGD-250I | |
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描述 | SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M | SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | GSI Technology | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA165,11X15,40 | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数 | 165 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 8 weeks | 8 weeks |
最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 250 MHz |
I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e1 | e1 |
长度 | 15 mm | 15 mm |
内存密度 | 75497472 bit | 75497472 bit |
内存集成电路类型 | QDR SRAM | QDR SRAM |
内存宽度 | 36 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 | 3 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 165 | 165 |
字数 | 2097152 words | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 2MX36 | 2MX36 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA | LBGA |
封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
电源 | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm |
最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V |
最大压摆率 | 0.75 mA | 0.905 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 13 mm | 13 mm |
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