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GS8662Q36BGD-200I

产品描述SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
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文件大小456KB,共34页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8662Q36BGD-200I在线购买

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GS8662Q36BGD-200I概述

SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M

GS8662Q36BGD-200I规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.75 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

GS8662Q36BGD-200I相似产品对比

GS8662Q36BGD-200I GS8662Q36BGD-250I
描述 SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40
针数 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 250 MHz
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e1 e1
长度 15 mm 15 mm
内存密度 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 36 36
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 165 165
字数 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 2MX36 2MX36
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm
最小待机电流 1.7 V 1.7 V
最大压摆率 0.75 mA 0.905 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 13 mm 13 mm
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