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NSDEMN11XV6T5G

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 100mA Quad Common Cathode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NSDEMN11XV6T5G在线购买

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NSDEMN11XV6T5G概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 100mA Quad Common Cathode

NSDEMN11XV6T5G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
针数6
制造商包装代码CASE 463A-01
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压70 V
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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NSDEMN11XV6T1,
NSDEMN11XV6T5
Common Cathode Quad
Array Switching Diode
This Common Cathode Epitaxial Planar Quad Diode is designed for
use in ultra high speed switching applications. This device is housed in
the SOT−563 package which is designed for low power surface mount
applications, where board space is at a premium.
Features
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
Fast t
rr
Low C
D
Pb−Free Packages are Available
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Forward Current
Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM
(Note 1)
Value
80
80
100
300
2.0
Unit
Vdc
Vdc
1
mAdc
mAdc
Adc
SOT−563
CASE 463A
PLASTIC
(4)
(5)
(6)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
(One Junction Heated)
Total Device Dissipation @T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Characteristic
(Both Junctions Heated)
Total Device Dissipation @T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Junction and Storage Temperature
R
qJA
T
J
, T
stg
R
qJA
Symbol
P
D
Max
357
(Note 2)
2.9
(Note 2)
350
(Note 2)
Max
500
(Note 2)
4.0
(Note 2)
250
(Note 2)
−55 to +150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
MARKING DIAGRAM
N9 M
G
G
1
Symbol
P
D
Unit
mW
mW/°C
°C/W
°C
N9 = Specific Device Code
M = Date Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
NSDEMN11XV6T1
Package
Shipping
SOT−563 4000/Tape & Reel
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. t = 1
mS
2. FR−4 @ Minimum Pad
NSDEMN11XV6T1G SOT−563 4000/Tape & Reel
(Pb−Free)
NSDEMN11XV6T5
SOT−563 8000/Tape & Reel
NSDEMN11XV6T5G SOT−563 8000/Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
May, 2006 − Rev. 2
Publication Order Number:
NSDEMN11XV6T1/D

NSDEMN11XV6T5G相似产品对比

NSDEMN11XV6T5G NSDEMN11XV6T1G
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 100mA Quad Common Cathode Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 100mA Quad Common Cathode
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
针数 6 6
制造商包装代码 CASE 463A-01 463A-01
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 4 4
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 80 V 80 V
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
反向测试电压 70 V 70 V
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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