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P100CH08EN0

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小862KB,共6页
制造商IXYS
相似器件已查找到1个与P100CH08EN0功能相似器件
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P100CH08EN0概述

Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM),

P100CH08EN0规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
标称电路换相断开时间10 µs
关态电压最小值的临界上升速率100 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
最大漏电流20 mA
通态非重复峰值电流1800 A
最大通态电压2.32 V
最大通态电流336000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

P100CH08EN0相似产品对比

P100CH08EN0 P100CH06EN0
描述 Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 600V V(DRM),
Reach Compliance Code compli compli
标称电路换相断开时间 10 µs 10 µs
关态电压最小值的临界上升速率 100 V/us 100 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V
最大维持电流 600 mA 600 mA
最大漏电流 20 mA 20 mA
通态非重复峰值电流 1800 A 1800 A
最大通态电压 2.32 V 2.32 V
最大通态电流 336000 A 336000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 800 V 600 V
表面贴装 NO NO
触发设备类型 SCR SCR
Base Number Matches 1 1

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与P100CH08EN0功能相似器件

器件名 厂商 描述
P100CH08EN0 Littelfuse Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM),

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