电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

P100CH08EN0

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小862KB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

P100CH08EN0概述

Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM),

P100CH08EN0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Littelfuse
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
标称电路换相断开时间10 µs
关态电压最小值的临界上升速率100 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
最大漏电流20 mA
通态非重复峰值电流1800 A
最大通态电压2.32 V
最大通态电流336000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

P100CH08EN0相似产品对比

P100CH08EN0 P100CH04EN0 ABSM32A-04.000MHZ-10-E-1-Z ABSM32A-05.000MHZ-10-E-3-W-T
描述 Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 400V V(DRM), Parallel - Fundamental Quartz Crystal Parallel - Fundamental Quartz Crystal
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C
表面贴装 NO NO YES YES

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 252  1163  1365  1504  1697 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved