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RSB6.8CS

产品描述10 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSB6.8CS概述

10 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

RSB6.8CS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压7.82 V
最小击穿电压5.78 V
击穿电压标称值6.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散10 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3.5 V
最大反向电流0.5 µA
反向测试电压3.5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RSB6.8CS
Diodes
ESD Protection diode
RSB6.8CS
Application
ESD Protection, bi direction
External dimensions
(Unit : mm)
0.16±0.05
0.6±0.05
Land size figure
(Unit : mm)
0.55
0.45
Features
1) Ultra small mold type. (VMN2)
2) High reliability.
3)
Bi chip-mounter, automatic mounting
is possible.
0.156
0.35±0.1
0.9±0.05
1.0±0.05
VMN2
Structure
0.37±0.03
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : VMN2
dot (year week factory) + day
Taping specifications
4±0.1
2±0.05
φ1.55
0.2±0.05
1.75±0.1
3.5±0.05
0.45
1.1±0.05
φ0.5
0.7±0.05
2±0.05
4.0±0.1
0.52
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Peak pulse power (tp=10×1000us)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Operating temperature
Symbol
Ppk
P
Tj
Tstg
Topor
Limits
10
100
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
W
mW
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
z
I
R
Ct
Min.
5.78
-
-
Typ.
-
-
15
Max.
7.82
0.5
-
Unit
V
µA
pF
Conditions
I
Z
=1mA
V
R
=3.5V
V
R
=0V , f=1MHz
8.0±0.2
0.5
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