IDT71V016SA12BFGI8,IDT71V016SA12BFGI8 pdf中文资料,IDT71V016SA12BFGI8引脚图,IDT71V016SA12BFGI8电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT71V016SA12BFGI8: 产品描述Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48; 产品类别存储; 文件大小324KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT71V016SA12BFGI8概述

Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48

IDT71V016SA12BFGI8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
其他特性	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	7 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.34 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7 mm
Base Number Matches	1

IDT71V016SA12BFGI8相似产品对比

	IDT71V016SA12BFGI8	IDT71V016SA15BFG8	IDT71V016SA20BFG8	IDT71V016SA15BFGI8	IDT71V016SA20BFGI8	IDT71V016SA12BFG8
描述	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	15 ns	20 ns	15 ns	20 ns	12 ns
其他特性	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.16 mA	0.13 mA	0.12 mA	0.13 mA	0.12 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30
宽度	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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