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ESD8111PFCT5G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes ENCAPSULATED DSN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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ESD8111PFCT5G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes ENCAPSULATED DSN

ESD8111PFCT5G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PBCC-N2
制造商包装代码152AX
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time7 weeks
其他特性ULTRA LOW CAPACITANCE
最大击穿电压8.6 V
最小击穿电压5.5 V
击穿电压标称值7.9 V
最大钳位电压8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压3.3 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压3.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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