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IS61NLP12836B-200TQLI-TR: 产品描述SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v; 产品类别存储存储; 文件大小426KB，共29页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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IS61NLP12836B-200TQLI-TR概述

SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v

IS61NLP12836B-200TQLI-TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)
包装说明	LQFP,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	10 weeks
最长访问时间	3.1 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	100
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	14 mm

IS61NLP12836B-200TQLI-TR相似产品对比

	IS61NLP12836B-200TQLI-TR	IS61NLP12836B-200B2LI	IS61NLP25618A-200B3LI-TR	IS61NLP25618A-200B3LI
描述	SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v	SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v	SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)
包装说明	LQFP,	BGA, BGA119,7X17,50	-	TBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compliant	compliant	-	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	10 weeks	10 weeks	-	10 weeks
最长访问时间	3.1 ns	3.1 ns	-	3.1 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	-	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e3	e1	-	e1
长度	20 mm	22 mm	-	15 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	-	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	-	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	-	18
湿度敏感等级	1	3	-	3
功能数量	1	1	-	1
端子数量	100	119	-	165
字数	131072 words	131072 words	-	262144 words
字数代码	128000	128000	-	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	-	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	128KX36	128KX36	-	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	BGA	-	TBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260
座面最大高度	1.6 mm	2.41 mm	-	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	-	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	-	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
表面贴装	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING	BALL	-	BALL
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	-	1 mm
端子位置	QUAD	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	40	-	10
宽度	14 mm	14 mm	-	13 mm

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