SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
| 参数名称 | 属性值 |
| Product Attribute | Attribute Value |
| 制造商 Manufacturer | ISSI(芯成半导体) |
| 产品种类 Product Category | SRAM |
| RoHS | Details |
| Memory Size | 4 Mbit |
| Organization | 256 k x 18 |
| Access Time | 3.1 ns |
| Maximum Clock Frequency | 200 MHz |
| 接口类型 Interface Type | Parallel |
| 电源电压-最大 Supply Voltage - Max | 3.465 V |
| 电源电压-最小 Supply Voltage - Min | 3.135 V |
| Supply Current - Max | 210 mA |
| 最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| 最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 85 C |
| 安装风格 Mounting Style | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 Package / Case | FBGA-165 |
| 系列 Packaging | Reel |
| 数据速率 Data Rate | SDR |
| Memory Type | SDR |
| 类型 Type | Synchronous |
| Number of Ports | 2 |
| Moisture Sensitive | Yes |
| 工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 2000 |
| IS61NLP25618A-200B3LI-TR | IS61NLP12836B-200B2LI | IS61NLP25618A-200B3LI | IS61NLP12836B-200TQLI-TR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v | SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v | SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v | SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | - | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) |
| 包装说明 | - | BGA, BGA119,7X17,50 | TBGA, BGA165,11X15,40 | LQFP, |
| Reach Compliance Code | - | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| Factory Lead Time | - | 10 weeks | 10 weeks | 10 weeks |
| 最长访问时间 | - | 3.1 ns | 3.1 ns | 3.1 ns |
| JESD-30 代码 | - | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B165 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | - | e1 | e1 | e3 |
| 长度 | - | 22 mm | 15 mm | 20 mm |
| 内存密度 | - | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | - | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | - | 36 | 18 | 36 |
| 湿度敏感等级 | - | 3 | 3 | 1 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 119 | 165 | 100 |
| 字数 | - | 131072 words | 262144 words | 131072 words |
| 字数代码 | - | 128000 | 256000 | 128000 |
| 工作模式 | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | - | 128KX36 | 256KX18 | 128KX36 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | - | BGA | TBGA | LQFP |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | GRID ARRAY | GRID ARRAY, THIN PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 260 | 260 |
| 座面最大高度 | - | 2.41 mm | 1.2 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | - | YES | YES | YES |
| 技术 | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | - | BALL | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | - | 1.27 mm | 1 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | - | BOTTOM | BOTTOM | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 40 | 10 | 10 |
| 宽度 | - | 14 mm | 13 mm | 14 mm |
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