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JANTX2N6796: 产品描述MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小982KB，共10页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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JANTX2N6796概述

MOSFET

JANTX2N6796规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.195 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

JANTX2N6796相似产品对比

	JANTX2N6796	2N6800	2N6796	2N6798	2N6802
描述	MOSFET	MOSFET N Channel MOSFET	MOSFET N Channel MOSFET	MOSFET N Channel MOSFET	MOSFET N Channel MOSFET
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	400 V	100 V	200 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	8 A	3 A	8 A	5.5 A	2.5 A
最大漏源导通电阻	0.195 Ω	1.1 Ω	0.195 Ω	0.42 Ω	1.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
认证状态	Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	3 A	8 A	5.5 A	2.5 A
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	-	25 W	25 W	25 W	25 W

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