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VN0104N3-P013: 产品描述MOSFET 40V 3Ohm; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小528KB，共5页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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MOSFET 40V 3Ohm

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	N
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	350 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement
高度 Height	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	FET
宽度 Width	4.19 mm
Fall Time	5 ns
Rise Time	5 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000
Typical Turn-Off Delay Time	6 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns
单位重量 Unit Weight	0.007760 oz

	VN0104N3-P013	VN0104N3-P014-G	VN0104N3
描述	MOSFET 40V 3Ohm	MOSFET 40V 3Ohm	MOSFET 40V 3Ohm
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	MOSFET
RoHS	N	Details	N
技术 Technology	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	40 V	40 V
Id - Continuous Drain Current	350 mA	350 mA	350 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	3 Ohms	3 Ohms	3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	20 V	20 V
Configuration	Single	Single	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W	1 W	1 W
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000	2000	1000
单位重量 Unit Weight	0.007760 oz	0.016000 oz	0.016000 oz
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	-	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	-	+ 150 C
Channel Mode	Enhancement	-	Enhancement
类型 Type	FET	FET	-
Fall Time	5 ns	-	5 ns
Rise Time	5 ns	-	5 ns
Typical Turn-Off Delay Time	6 ns	-	6 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns	-	3 ns

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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