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DS1245YP-100

产品描述NVRAM
产品类别存储    存储   
文件大小205KB,共10页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1245YP-100概述

NVRAM

DS1245YP-100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
零件包装代码DMA
包装说明POWERCAP MODULE-34
针数34
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-XDMA-U34
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量34
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码MODULE,34LEAD,1.0
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J INVERTED
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20

DS1245YP-100相似产品对比

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描述 NVRAM NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Maxim(美信半导体) - Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) - Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 DMA - MODULE MODULE - DMA DIP
包装说明 POWERCAP MODULE-34 - 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 - POWERCAP MODULE-34 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32
针数 34 - 32 32 - 34 32
Reach Compliance Code not_compliant - not_compliant not_compliant - not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 100 ns - 70 ns 120 ns - 70 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-U34 - R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 - R-XDMA-U34 R-XDMA-T32
JESD-609代码 e0 - e0 e0 - e0 e0
内存密度 1048576 bit - 1048576 bit 1048576 bit - 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE - NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE - NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 - 8 8 - 8 8
功能数量 1 - 1 1 - 1 1
端子数量 34 - 32 32 - 34 32
字数 131072 words - 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words
字数代码 128000 - 128000 128000 - 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 85 °C 85 °C - 85 °C 70 °C
组织 128KX8 - 128KX8 128KX8 - 128KX8 128KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 MODULE,34LEAD,1.0 - DIP32,.6 DIP32,.6 - MODULE,34LEAD,1.0 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 225 240
电源 5 V - 5 V 5 V - 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.005 A - 0.005 A 0.005 A - 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 0.085 mA - 0.085 mA 0.085 mA - 0.085 mA 0.085 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V - 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V - 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 YES - NO NO - YES NO
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J INVERTED - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - J INVERTED THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL - DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 30 NOT SPECIFIED
是否无铅 - - 含铅 含铅 - 含铅 含铅

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