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DS1245AB-100

产品描述NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
产品类别存储   
文件大小205KB,共10页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1245AB-100概述

NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

DS1245AB-100规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Maxim(美信半导体)
产品种类
Product Category
NVRAM
封装 / 箱体
Package / Case
EDIP-32
接口类型
Interface Type
Parallel
Memory Size1 Mbit
Organization128 k x 8
Data Bus Width8 bit
Access Time100 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
5.25 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
4.75 V
工作电源电流
Operating Supply Current
85 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
系列
Packaging
Bulk
高度
Height
9.4 mm
长度
Length
43.69 mm
类型
Type
NVSRAM
宽度
Width
18.8 mm
安装风格
Mounting Style
Through Hole
工作电源电压
Operating Supply Voltage
5 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
11

DS1245AB-100相似产品对比

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描述 NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
是否无铅 - 含铅 含铅 - - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 - Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) - Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 - MODULE MODULE DMA - DMA DIP
包装说明 - 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 POWERCAP MODULE-34 - POWERCAP MODULE-34 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32
针数 - 32 32 34 - 34 32
Reach Compliance Code - not_compliant not_compliant not_compliant - not_compliant not_compliant
ECCN代码 - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 - 70 ns 120 ns 100 ns - 70 ns 120 ns
JESD-30 代码 - R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-U34 - R-XDMA-U34 R-XDMA-T32
JESD-609代码 - e0 e0 e0 - e0 e0
内存密度 - 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit - 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 - NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE - NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 - 8 8 8 - 8 8
功能数量 - 1 1 1 - 1 1
端子数量 - 32 32 34 - 34 32
字数 - 131072 words 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words
字数代码 - 128000 128000 128000 - 128000 128000
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C 70 °C - 85 °C 70 °C
组织 - 128KX8 128KX8 128KX8 - 128KX8 128KX8
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 - DIP32,.6 DIP32,.6 MODULE,34LEAD,1.0 - MODULE,34LEAD,1.0 DIP32,.6
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 240 - 225 240
电源 - 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 - 0.005 A 0.005 A 0.005 A - 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 - 0.085 mA 0.085 mA 0.085 mA - 0.085 mA 0.085 mA
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 - NO NO YES - YES NO
技术 - CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 - INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL - INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J INVERTED - J INVERTED THROUGH-HOLE
端子位置 - DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 20 - 30 NOT SPECIFIED

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