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DDTA114YCA-7-F

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS PNP 200mW
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共4页
制造商Diodes Incorporated
标准
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DDTA114YCA-7-F概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS PNP 200mW

DDTA114YCA-7-F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time19 weeks
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
最大集电极电流 (IC)0.07 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS PNP 200mW Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 2.2K 47K Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS PNP 200mW Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 47K Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 22K 47K Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS PNP 200mW Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 47K 22K
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 19 weeks 19 weeks 19 weeks 19 weeks 19 weeks 19 weeks 19 weeks
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 21.36 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 2.13 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.21 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 2.14 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47
最大集电极电流 (IC) 0.07 A 0.1 A 0.1 A 0.03 A 0.05 A 0.1 A 0.03 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 68 80 30 33 68 80 56
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
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