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SPI08N80C3XKSA1

产品描述MOSFET N-Ch 800V 8A I2PAK-3 CoolMOS C3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小462KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SPI08N80C3XKSA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SPI08N80C3XKSA1概述

MOSFET N-Ch 800V 8A I2PAK-3 CoolMOS C3

SPI08N80C3XKSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas)340 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.65 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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