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IS61WV6416DBLL-10TLI-TR

产品描述SRAM 1Mb 3.3V 10ns 64K x 16 Async SRAM
产品类别存储   
文件大小699KB,共21页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS61WV6416DBLL-10TLI-TR在线购买

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IS61WV6416DBLL-10TLI-TR概述

SRAM 1Mb 3.3V 10ns 64K x 16 Async SRAM

IS61WV6416DBLL-10TLI-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM
RoHSDetails
Memory Size1 Mbit
Organization64 k x 16
Access Time10 ns
接口类型
Interface Type
Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.4 V
Supply Current - Max55 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-44
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Memory TypeSDR
类型
Type
Asynchronous
Moisture SensitiveYes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000

IS61WV6416DBLL-10TLI-TR相似产品对比

IS61WV6416DBLL-10TLI-TR IS61WV6416DBLL-10BLI-TR IS61WV6416DBLL-10TLI
描述 SRAM 1Mb 3.3V 10ns 64K x 16 Async SRAM SRAM 1M, 2.5-3.6V, 10ns 64Kx16 Asynch SRAM SRAM 1Mb 3.3V 10ns 64K x 16 Async SRAM
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM SRAM SRAM
RoHS Details Details Details
Memory Size 1 Mbit 1 Mbit 1 Mbit
Organization 64 k x 16 64 k x 16 64 k x 16
Access Time 10 ns 10 ns 10 ns
接口类型
Interface Type
Parallel Parallel Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.4 V 2.4 V 2.4 V
Supply Current - Max 55 mA 55 mA 55 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 85 C + 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-44 BGA-48 TSOP-44
Memory Type SDR SDR SDR
类型
Type
Asynchronous Asynchronous Asynchronous
Moisture Sensitive Yes Yes Yes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000 2500 135
系列
Packaging
Reel Reel Tray
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