5962F1120201QXA,5962F1120201QXA pdf中文资料,5962F1120201QXA引脚图,5962F1120201QXA电路-Datasheet-电子工程世界

5962F1120201QXA: 产品描述QDR SRAM, 2MX36, 0.85ns, CMOS, CBGA165, 21 X 25 MM, 2.83 MM HEIGHT, CERAMIC, MO-158BE-1, CGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小459KB，共35页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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QDR SRAM, 2MX36, 0.85ns, CMOS, CBGA165, 21 X 25 MM, 2.83 MM HEIGHT, CERAMIC, MO-158BE-1, CGA-165

参数名称	属性值
Objectid	1288119072
包装说明	CGA, CGA165,11X15,50
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	0.85 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-CBGA-X165
长度	25 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	CGA
封装等效代码	CGA165,11X15,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.38 mm
最大待机电流	0.66 A
最大压摆率	1.7 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	UNSPECIFIED
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	21 mm

	5962F1120201QXA	CYRS1542AV18-250GCMB	5962F1120101QXA	CYPT1544AV18-250GCMB
描述	QDR SRAM, 2MX36, 0.85ns, CMOS, CBGA165, 21 X 25 MM, 2.83 MM HEIGHT, CERAMIC, MO-158BE-1, CGA-165	SRAM 72Mb 1.8V 250Mhz 4M x 18 QDR II SRAM	SRAM Sync SRAMs	SRAM 72Mb 1.8V 250Mhz 4M x 18 QDR II SRAM

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