93LC56CT-I/MNY,93LC56CT-I/MNY pdf中文资料,93LC56CT-I/MNY引脚图,93LC56CT-I/MNY电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 93LC56CT-I/MNY

93LC56CT-I/MNY: 产品描述EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE IND; 产品类别存储存储; 文件大小875KB，共37页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

93LC56CT-I/MNY概述

EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE IND

93LC56CT-I/MNY规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DFN
包装说明	HVSON, SOLCC8,.11,20
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	5 weeks
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
座面最大高度	0.8 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000001 A
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	2 mm
写保护	SOFTWARE

用户手册

93LC56CT-I/MNY相似产品对比

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描述	EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE IND	EEPROM 2K 2.5V, 256 X 8 SERIAL EE, EXT	EEPROM 2K 128X16 SER EE IND	EEPROM 256x8 - 1.8V	EEPROM 2K 2.5V, 128 X 16 SERIAL EE, EXT	EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE EXT	EEPROM 2k, 256 X 8 OR 128X16 SERIAL EE,EXT	EEPROM 2K 256X8 SER EE IND	电可擦除可编程只读存储器 2K 5.0V, 256 X 8 SERIAL EE, EXT
是否Rohs认证	符合	-	-	-	-	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)	-	-	-	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DFN	-	-	-	-	DFN	DFN	DFN	DFN
包装说明	HVSON, SOLCC8,.11,20	-	-	-	-	HVSON,	HVSON,	HVSON,	HVSON,
针数	8	-	-	-	-	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	-	-	-	-	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	-	-	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	5 weeks	-	-	-	-	5 weeks	5 weeks	5 weeks	5 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz	-	-	-	-	2 MHz	3 MHz	3 MHz	3 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-N8	-	-	-	-	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e4	-	-	-	-	e4	e4	e4	e4
长度	3 mm	-	-	-	-	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
内存密度	2048 bit	-	-	-	-	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM	-	-	-	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	-	-	-	-	16	16	8	8
湿度敏感等级	1	-	-	-	-	1	1	1	1
功能数量	1	-	-	-	-	1	1	1	1
端子数量	8	-	-	-	-	8	8	8	8
字数	128 words	-	-	-	-	128 words	128 words	256 words	256 words
字数代码	128	-	-	-	-	128	128	256	256
工作模式	SYNCHRONOUS	-	-	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	-	-	-	125 °C	125 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128X16	-	-	-	-	128X16	128X16	256X8	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON	-	-	-	-	HVSON	HVSON	HVSON	HVSON
封装形状	RECTANGULAR	-	-	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	-	-	-	-	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL	-	-	-	-	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
座面最大高度	0.8 mm	-	-	-	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
串行总线类型	MICROWIRE	-	-	-	-	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	-	-	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	-	-	-	2.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	-	-	-	-	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	-	-	-	-	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	-	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	-	-	-	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-	-	-	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD	-	-	-	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	-	-	-	-	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	-	-	-	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	2 mm	-	-	-	-	2 mm	2 mm	2 mm	2 mm

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