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IS43R32400D-4B-TR

产品描述DRAM 128M, 2.5v, DDR, 4Mx32, 250MHz @ CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm), T&R
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文件大小2MB,共57页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS43R32400D-4B-TR概述

DRAM 128M, 2.5v, DDR, 4Mx32, 250MHz @ CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm), T&R

IS43R32400D-4B-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
DRAM
类型
Type
SDRAM - DDR1
Data Bus Width32 bit
Organization4 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-144
Memory Size128 Mbit
Maximum Clock Frequency250 MHz
Access Time0.7 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
2.7 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.3 V
Supply Current - Max425 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
2.5 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1500

IS43R32400D-4B-TR相似产品对比

IS43R32400D-4B-TR IS43R32400D-4B IS43R32400D-5BLI-TR
描述 DRAM 128M, 2.5v, DDR, 4Mx32, 250MHz @ CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm), T&R DRAM DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
DRAM DRAM DRAM
类型
Type
SDRAM - DDR1 SDRAM - DDR1 SDRAM - DDR1
Data Bus Width 32 bit 32 bit 32 bit
Organization 4 M x 32 4 M x 32 4 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-144 BGA-144 BGA-144
Memory Size 128 Mbit 128 Mbit 128 Mbit
Maximum Clock Frequency 250 MHz 250 MHz 200 MHz
Access Time 0.7 ns 0.7 ns 5 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
2.7 V 2.7 V 2.7 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.3 V 2.3 V 2.3 V
Supply Current - Max 425 mA 425 mA 350 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C 0 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C + 70 C + 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
2.5 V 2.5 V 2.5 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1500 189 1500

 
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