IS43R32400D-5BLI-TR,IS43R32400D-5BLI-TR pdf中文资料,IS43R32400D-5BLI-TR引脚图,IS43R32400D-5BLI-TR电路-Datasheet-电子工程世界

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IS43R32400D-5BLI-TR: 产品描述DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v; 产品类别存储; 文件大小2MB，共57页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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IS43R32400D-5BLI-TR在线购买

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IS43R32400D-5BLI-TR概述

DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v

IS43R32400D-5BLI-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM
RoHS	Details
类型 Type	SDRAM - DDR1
Data Bus Width	32 bit
Organization	4 M x 32
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-144
Memory Size	128 Mbit
Maximum Clock Frequency	200 MHz
Access Time	5 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.3 V
Supply Current - Max	350 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
Moisture Sensitive	Yes
工作电源电压 Operating Supply Voltage	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500

IS43R32400D-5BLI-TR相似产品对比

	IS43R32400D-5BLI-TR	IS43R32400D-4B	IS43R32400D-4B-TR
描述	DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v	DRAM	DRAM 128M, 2.5v, DDR, 4Mx32, 250MHz @ CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm), T&R
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM	DRAM	DRAM
类型 Type	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1
Data Bus Width	32 bit	32 bit	32 bit
Organization	4 M x 32	4 M x 32	4 M x 32
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-144	BGA-144	BGA-144
Memory Size	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit
Maximum Clock Frequency	200 MHz	250 MHz	250 MHz
Access Time	5 ns	0.7 ns	0.7 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V	2.7 V	2.7 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.3 V	2.3 V	2.3 V
Supply Current - Max	350 mA	425 mA	425 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	0 C	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
工作电源电压 Operating Supply Voltage	2.5 V	2.5 V	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500	189	1500

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