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CAT24C44VI-T3

产品描述NVRAM 256-Bit Serial N.V. RAM
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文件大小90KB,共16页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAT24C44VI-T3在线购买

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CAT24C44VI-T3概述

NVRAM 256-Bit Serial N.V. RAM

CAT24C44VI-T3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度256 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数16 words
字数代码16
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

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CAT28F512
512K-Bit CMOS Flash Memory
FEATURES
s
Fast Read Access Time: 90/120/150 ns
s
Low Power CMOS Dissipation:
Licensed Intel
second source
s
Commercial, Industrial and Automotive
Temperature Ranges
s
Stop Timer for Program/Erase
s
On-Chip Address and Data Latches
s
JEDEC Standard Pinouts:
–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)
–Standby: 1 mA max (TTL levels)
–Standby: 100
µ
A max (CMOS levels)
s
High Speed Programming:
–10
µ
s per byte
–1 Sec Typ Chip Program
s
12.0V
±
5% Programming and Erase Voltage
–32-pin DIP
–32-pin PLCC
–32-pin TSOP ( 8 x 20)
s
100,000 Program/Erase Cycles
s
10 Year Data Retention
s
"Green" Package Options Available
s
Electronic Signature
DESCRIPTION
The CAT28F512 is a high speed 64K x 8-bit electrically
erasable and reprogrammable Flash memory ideally
suited for applications requiring in-system or after-sale
code updates. Electrical erasure of the full memory
contents is achieved typically within 0.5 second.
It is pin and Read timing compatible with standard
EPROM and EEPROM devices. Programming and Erase
are performed through an operation and verify algo-
rithm. The instructions are input via the I/O bus, using a
two write cycle scheme. Address and Data are latched
to free the I/O bus and address bus during the write
operation.
The CAT28F512 is manufactured using Catalyst’s ad-
vanced CMOS floating gate technology. It is designed
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data
retention of 10 years. The device is available in JEDEC
approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin
TSOP packages.
BLOCK DIAGRAM
I/O0–I/O7
I/O BUFFERS
ERASE VOLTAGE
SWITCH
WE
COMMAND
REGISTER
PROGRAM VOLTAGE
SWITCH
CE, OE LOGIC
DATA
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
ADDRESS LATCH
Y-GATING
Y-DECODER
524,288 BIT
MEMORY
ARRAY
A0–A15
X-DECODER
VOLTAGE VERIFY
SWITCH
© 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. MD-1084, Rev. K

CAT24C44VI-T3相似产品对比

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描述 NVRAM 256-Bit Serial N.V. RAM Flash Memory 512K-Bit CMOS Flash Memory NOR Flash 64 X 8 512K NOR Flash 64 X 8 512K 90ns NOR Flash 64 X 8 512K 120ns Digital Potentiometer ICs DPP,NV 32 taps Up/Down NOR Flash 512K-Bit CMOS Flash Memory NOR Flash 64 X 8 512K 120ns
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 符合 - 符合 符合
零件包装代码 SOIC QFJ QFJ DIP DIP - QFJ DIP
包装说明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8 LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, LCC-32 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 - HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LCC-32 DIP, DIP32,.6
针数 8 32 32 32 32 - 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown not_compliant unknown unknown - unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 - R-PQCC-J32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e3 e3 e0 e3 e3 - e3 e3
长度 4.9 mm 13.97 mm 13.97 mm 42.03 mm 42.03 mm - 13.97 mm 42.03 mm
内存密度 256 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit - 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM FLASH FLASH FLASH FLASH - FLASH FLASH
内存宽度 16 8 8 8 8 - 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 - 1 1
端子数量 8 32 32 32 32 - 32 32
字数 16 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words - 65536 words 65536 words
字数代码 16 64000 64000 64000 64000 - 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C - 85 °C 70 °C
组织 16X16 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 - 64KX8 64KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP QCCJ QCCJ DIP DIP - QCCJ DIP
封装等效代码 SOP8,.25 LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6 DIP32,.6 DIP32,.6 - LDCC32,.5X.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE - CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 SERIAL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 245 240 260 260 - NOT SPECIFIED 260
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 3.55 mm 3.55 mm 5.08 mm 5.08 mm - 3.55 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.00003 A 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A - 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 0.003 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA - 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO NO - YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) TIN LEAD MATTE TIN Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm - 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD DUAL DUAL - QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm - 11.43 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 1 - 1 - 1 -
厂商名称 - ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
最长访问时间 - 120 ns 120 ns 90 ns 120 ns - 90 ns 120 ns
命令用户界面 - YES YES YES YES - YES YES
数据轮询 - NO NO NO NO - NO NO
耐久性 - 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles - 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
编程电压 - 12 V 12 V 12 V 12 V - 12 V 12 V
切换位 - NO NO NO NO - NO NO
类型 - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE
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