CAT28F512LI12: 产品描述NOR Flash 64 X 8 512K 120ns; 产品类别存储存储; 文件大小90KB，共16页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

CAT28F512LI12在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	CAT28F512LI12	-	-	点击查看	点击购买

CAT28F512LI12概述

NOR Flash 64 X 8 512K 120ns

CAT28F512LI12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e3
长度	42.03 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CAT28F512

512K-Bit CMOS Flash Memory

FEATURES

Fast Read Access Time: 90/120/150 ns

Low Power CMOS Dissipation:

Licensed Intel

second source

Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

Stop Timer for Program/Erase

On-Chip Address and Data Latches

JEDEC Standard Pinouts:

–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

–Standby: 1 mA max (TTL levels)

–Standby: 100

A max (CMOS levels)

High Speed Programming:

–10

s per byte

–1 Sec Typ Chip Program

12.0V

5% Programming and Erase Voltage

–32-pin DIP

–32-pin PLCC

–32-pin TSOP ( 8 x 20)

100,000 Program/Erase Cycles

10 Year Data Retention

"Green" Package Options Available

Electronic Signature

DESCRIPTION

The CAT28F512 is a high speed 64K x 8-bit electrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and EEPROM devices. Programming and Erase

are performed through an operation and verify algo-

rithm. The instructions are input via the I/O bus, using a

two write cycle scheme. Address and Data are latched

to free the I/O bus and address bus during the write

operation.

The CAT28F512 is manufactured using Catalyst’s ad-

vanced CMOS floating gate technology. It is designed

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

BLOCK DIAGRAM

I/O0–I/O7

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

DATA

LATCH

SENSE

AMP

ADDRESS LATCH

Y-GATING

Y-DECODER

524,288 BIT

MEMORY

ARRAY

A0–A15

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1084, Rev. K

CAT28F512LI12相似产品对比

	CAT28F512LI12	CAT28F512G-12T	CAT28F512N-12	CAT28F512L90	CAT5114VI-00-T3	CAT28F512GI-90T	CAT24C44VI-T3	CAT28F512L12
描述	NOR Flash 64 X 8 512K 120ns	Flash Memory 512K-Bit CMOS Flash Memory	NOR Flash 64 X 8 512K	NOR Flash 64 X 8 512K 90ns	Digital Potentiometer ICs DPP,NV 32 taps Up/Down	NOR Flash 512K-Bit CMOS Flash Memory	NVRAM 256-Bit Serial N.V. RAM	NOR Flash 64 X 8 512K 120ns
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-	ON Semiconductor(安森美)	-	ON Semiconductor(安森美)	-	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	DIP	QFJ	QFJ	DIP	-	QFJ	SOIC	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6	LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	PLASTIC, LCC-32	DIP, DIP32,.6	-	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LCC-32	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8	DIP, DIP32,.6
针数	32	32	32	32	-	32	8	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	not_compliant	unknown	-	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	120 ns	90 ns	-	90 ns	-	120 ns
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	-	YES	-	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO	-	NO	-	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	-	100000 Write/Erase Cycles	-	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32	R-PDIP-T32	-	R-PQCC-J32	R-PDSO-G8	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e3	e3	e0	e3	-	e3	e3	e3
长度	42.03 mm	13.97 mm	13.97 mm	42.03 mm	-	13.97 mm	4.9 mm	42.03 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	-	524288 bit	256 bit	524288 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	-	FLASH	NON-VOLATILE SRAM	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	-	8	16	8
功能数量	1	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	-	32	8	32
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	-	65536 words	16 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	-	64000	16	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	85 °C	85 °C	70 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	-	64KX8	16X16	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	QCCJ	DIP	-	QCCJ	SOP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	LDCC32,.5X.6	LDCC32,.5X.6	DIP32,.6	-	LDCC32,.5X.6	SOP8,.25	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	-	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	SERIAL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	245	240	260	-	NOT SPECIFIED	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V	-	12 V	-	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.55 mm	3.55 mm	5.08 mm	-	3.55 mm	1.75 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	-	0.00001 A	0.00003 A	0.00001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	-	0.03 mA	0.003 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	-	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	TIN LEAD	MATTE TIN	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	-	J BEND	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	-	QUAD	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	30	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO	NO	-	NO	-	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	-	NOR TYPE	-	NOR TYPE
宽度	15.24 mm	11.43 mm	11.43 mm	15.24 mm	-	11.43 mm	3.9 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	1	1	-	-	1	1	-

推荐资源

100合1多功能VCD遥控器电路，兼容众合RM-220，NT66P13

视放电路：视放板-3

请教各位高手一个关于ip分配的问题？: 请问哪位高手可以帮我解释一下，一台无线设备连到一个新的网络中，是怎样获得新的ip的？如果自己写个无线驱动，怎样来实现获取ip的？ ...; snowie 嵌入式系统

毕业设计: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 08:56 编辑用89C2051制作智能毫秒计，要求量程在9.9999s到99.999s之间随计时量自动切换，单双路输入自由切换，用74LS164译码串行输出，5五位数码管显示。 ......; lou0908 电子竞赛

51单片机接在P0口上拉电阻上的电源有什么作用？: http://p1.tuzhan.com/200911/upn1/2010-06-09/17/a006045.tuzhan.com_d73ed0b83854403eb3eac854ca79de17_m.JPG http://p1.tuzhan.com/200911/upn1/2010-06-09/17/a006045.tuzhan.com_3d163e11 ......; jp19848 嵌入式系统

TI大学计划资料-PPT: 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 13:10 编辑 TI大学计划资料-PPT 包含噪声控制，高速信号链中的PCB设计，电源PCB设计 ...; Frank-Huang 模拟与混合信号

【TI首届低功耗设计大赛】电源大杂烩: 上午刚刚撸完一贴中午改变世界快递小哥来电话太阳能板到了，必须滴开始凑电源了 ------------------------------------------飞刀一割------------------------------------------------ ......; ljj3166 微控制器 MCU

请问有没有支持redhat9的无线网卡啊: 请问有没有支持redhat9的无线网卡啊，我在市场上找的全部都是支持Windows的...; oneforlove 嵌入式系统

stm32学习笔记之串口通信

　　在基础实验成功的基础上，对串口的调试方法进行实践。硬件代码顺利完成之后，对日后调试需要用到的printf重定义进行调试，固定在自己的库函数中。　　b) 初始化函数定义：　　void USART_Configuration(void); //定义串口初始化函数　　c) 初始化函数调用：　　void UART_Configuration(void); //串口初始化函数调用　　初始化代...[详细]
450Wh/kg！融捷集团发布第二代硫化物全固态电池

当固态电池行业仍在为电动汽车的“终极方案”进行漫长的技术马拉松时，部分企业已开始寻找更切近的商业化落地场景。近日，融捷集团旗下的融捷能源科技有限公司（以下简称“融捷能源”）正式推出其第二代全固态硫化物电池，能量密度达到450 Wh/kg。固态电池迈向实处，三赛道精准卡位 2025年，全球固态电池产业进入了一个关键的“去芜存菁”阶段。在经历多轮资本与产业的热潮起伏后，市场正...[详细]
工业机械异常检测

您怎么知道一台机器是否在正常运行？问题的回答是：通过利用深度学习来检测工业机器的常规振动数据中的异常情况。异常检测有很多用途，而尤其在预测性维护中特别有用。这个深度学习的例子讲的是基于双向长短期记忆网络（biLSTM）的自动编码器。虽然这个词很拗口，但它仅表示训练网络来重构“正常”数据。这样，当我们给算法提供一些看起来不同的数据时，重构错误会提示您机器可能需要维护。当您所拥有的数据均为“正...[详细]
倒装焊与球栅阵列封装：电子行业的关键技术

倒装焊(Flip-Chip)和球栅阵列封装（Ball Grid Array，简称BGA）是电子行业中广泛使用的两种封装技术。这两种封装技术各有优势和局限性，而且在某些情况下，它们可以互相补充，以满足更复杂的设计需求。首先，我们来了解倒装焊。倒装焊是一种封装技术，其中半导体芯片被“倒装”并直接焊接到电路板或基板上。这种方法使得芯片的主动元件面对着基板，可以直接与其接触，从而提高了热性能和电性...[详细]
基于单片机的FLAC高保真数字音频播放器设计

一、项目概述 1.1 引言目前，大部分的音乐文件都是以mp3格式来保存的，mp3是一种有损的音频压缩格式，它无法完美地再现原版音乐。随着存储器容量的扩大、网络带宽的增加、处理器性能的增强以及人们对生活品质要求的提高，无损音乐越来越受到人们的青睐，对无损音乐播放器的需求也就越来越大。 1.2 项目背景/选题动机我们希望能在 AVR 单片机上实现一个“FLAC高保真音频播放器”。播放器用...[详细]
下雨天驾驶纯电动汽车会出现漏电现象吗

近几年国家对电动车的扶持力度越来越大，电动汽车也越来越多了。细心的小伙伴们会发现：大街小巷中多了许多绿色的牌照，而且绿色牌照的汽车在城市中还有着“不限行”等诸多便利。但是这也引发了许多安全的问题，引起很多人的担忧。有的人甚至担心在雨天行驶漏电，开着电动车不敢淌水，这些缺乏常识的问题。经过小编查阅资料，且多方取证，发现这些担忧都是过于“杞人忧天”了。在我国北方由于气候相对干燥，而且一般下雨也...[详细]
高阶辅助驾驶普及拐点已至，谁能占据智驾市场头筹？

在汽车智能化变革的浪潮中，高阶辅助驾驶正从前沿科技逐渐走进大众视野，成为行业竞争的新高地。2025年，被业内广泛视为高阶辅助驾驶普及的关键拐点，市场竞争愈发激烈，各大企业纷纷发力，试图在这片充满潜力的市场中抢占先机。近期，地平线HSD先锋体验日成为行业焦点，其发布的全新版本，以一段式端到端+强化学习技术为核心，基于征程6P强大的算力基座，为用户带来了前所未有的拟人辅助驾驶体验，被誉为“中国...[详细]
宝马将全景天窗改造成电视几乎覆盖整个车顶

据外媒报道，宝马（BMW）刚刚获得了一项屏幕专利，该屏幕可以覆盖整个车顶。宝马希望将车辆顶棚（headliner）至少大部分变成显示屏。宝马指出全景玻璃天窗存在重量过大、安全性不足、以及导致座舱过热等问题，因此将这块巨型屏幕作为普通玻璃的潜在升级选项。（图片来源：宝马公司）该曲面显示屏幕将覆盖车辆顶棚90%以上的面积。当乘客仰视时，其视野主体将由屏幕占据。该屏幕并非用于娱乐内容播放或...[详细]
文远知行发布一段式端到端辅助驾驶解决方案，预计2025年内量产上车

8月21日，文远知行WeRide正式推出与博世合作的一段式端到端辅助驾驶解决方案——WePilot AiDrive，这距离双方合作的“两段式端到端”方案量产上车仅半年。目前，WePilot AiDrive已完成核心功能验证，预计2025年内实现量产上车，助力全球辅助驾驶行业走向更智能、更高效、更普适的大规模应用阶段。据悉，相比先感知再决策的传统两段式架构，文远知行WePilot Ai...[详细]
电动汽车是利用发动机来实现12V车载供电吗

电动汽车的12V蓄电池供电并不是依靠发电机，只有燃油动力汽车才会依靠发动机带动发电机在行驶中发电，其作用是为12V车载设备供电；用这种发电即时供电的原因是因为12V蓄电池的容量太小，而且不能依靠外接设备充电。而电动汽车有一组动辄50kwh左右的动力电池组，其容量是燃油动力汽车电池的50~100倍甚至更高，车载12V电子设备的耗电量与容量相比小到几乎可以忽略；而动力电池组可依靠220市电充电，所以...[详细]
新能源汽车整晚充电会导致电线发热起火吗

充电对于新能源汽车的使用来说，都不陌生，而作为电池的能量补给的方式来源来说，充电桩是个很重要的装置，新能源汽车充电分为快充和慢充，而一般来说，都会白天使用，利用晚上的时间对于车辆进行补电，根据充电时间来说，慢充需要5到8个小时才可以充满。充的时间过长，如整晚充电会不会导致电线发热起火？在使用的时候是无需担心的，根据车辆的充电装置来说，车辆充电器是带有自动断电功能，无论是慢充充电桩也好，还是...[详细]
有R型电源变压器，再也不怕电压不合适！

在日常R型电源变压器运行中，随着使用设备的调整，使用的电压也有所变化，所以有人就会问了，那这个时候的变压器能修改电压吗？答案是可以的，一般情况下，变压器的电源电压不得超过额定值±5%，变压器可以在额定负荷下运行。那电源变压器是如何改变电压的呢？下面我们一起来看看。电源变压器不仅具有普通的电压变换功能，还具有绝缘隔离和功率传输功能；为了更好地实现这些功能，我们应该注意变压器的几个参数。首先是...[详细]
因承诺额外投资：消息称美国政府不计划取得台积电、美光股权

8 月 22 日消息，《华尔街日报》当地时间 21 日报道称，美国新一届政府不计划取得半导体晶圆代工巨头台积电和三大存储原厂之一美光的股权，因为这两家此前获得《CHIPS》法案补贴的企业均承诺了在美额外投资。美国商务部长卢特尼克本周早些时候表示，美国政府计划取得英特尔约 10% 的股权，并考虑将这一“补贴转股”模式扩大到其它半导体企业上。不过一位不愿透露姓名的政府官员表示，只有那些未承诺追加投...[详细]
车规芯片掀 “中国速度”，ST未来三年将推70款车规MCU

“目前，针对EMB线控制动的专用芯片，我们成功推出第一版产品。第二代样品也已顺利成型，现阶段正积极规划第三代高度集成的解决方案，期望在实现成本优化的同时，进一步提升其安全性。”日前，意法半导体（ST）在上海扩建升级的新能源汽车创新中心正式向媒体开放的当日，ST中国区汽车电子&上海新能源汽车创新中心应用总监姜炯迪向盖世汽车透露道。而这，亦不过是ST面向中国新能源汽车创新的众多...[详细]
stm32启动过程

startup_stm32f10x_cl.s 互联型的STM32F105xx，STM32F107xx startup_stm32f10x_hd.s 大容量的STM32F101xx，STM32F102xx，STM32F103xx startup_stm32f10x_hd_vl.s 大容量的STM32F100xx startup_stm32f10x_ld.s 小容量的STM32F101xx，STM3...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多