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IH5051CJE概述

Analog Switch ICs Low Charge Injection Dual SPDT Analog Switch

IH5051CJE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP16,.3
针数	16
Reach Compliance Code	not_compliant
模拟集成电路 - 其他类型	SPDT
JESD-30 代码	R-GDIP-T16
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
信道数量	1
功能数量	2
端子数量	16
标称断态隔离度	50 dB
通态电阻匹配规范	8 Ω
最大通态电阻 (Ron)	45 Ω
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
输出	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5,+-15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.842 mm
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
最长断开时间	300 ns
最长接通时间	600 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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Maxim

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描述	Analog Switch ICs Low Charge Injection Dual SPDT Analog Switch	Analog Switch ICs Dual SPST Low Charge Injection Normally O	Analog Switch ICs	Analog Switch ICs Low Charge Injection SPDT Analog Switch	Analog Switch ICs Low Charge Injection SPDT Analog Switch	Analog Switch ICs Dual SPST, Low Charge Injection Analog Switch	Analog Switch ICs Low Charge Injection SPDT	Analog to Digital Converters - ADC Low Charge Injection Dual SPST Normally Open Analog Switch	Switching Voltage Regulators Low Charge Injection Dual SPST Normally Open Analog Switch
是否无铅	含铅	-	-	-	含铅	含铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	-	-	不符合	不符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)	-	-	-	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	DIP	-	-	-	DIE	DIP	-	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP16,.3	-	-	-	DIE-14	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	SO-16	SO-16
针数	16	-	-	-	14	16	-	16	16
Reach Compliance Code	not_compliant	-	-	-	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant
模拟集成电路 - 其他类型	SPDT	-	-	-	SPDT	SPDT	SPDT	SPST	SPST
JESD-30 代码	R-GDIP-T16	-	-	-	R-XUUC-N14	R-GDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDSO-G16	R-PDSO-G16
JESD-609代码	e0	-	-	-	e0	e0	-	e0	e0
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-	-	-	-15 V	-15 V	-	-15 V	-15 V
信道数量	1	-	-	-	1	1	-	1	1
功能数量	2	-	-	-	1	2	1	2	2
端子数量	16	-	-	-	14	16	16	16	16
标称断态隔离度	50 dB	-	-	-	50 dB	54 dB	-	50 dB	50 dB
通态电阻匹配规范	8 Ω	-	-	-	8 Ω	8 Ω	-	8 Ω	8 Ω
最大通态电阻 (Ron)	45 Ω	-	-	-	45 Ω	40 Ω	75 Ω	30 Ω	45 Ω
最高工作温度	70 °C	-	-	-	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C
输出	SEPARATE OUTPUT	-	-	-	-	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	-	-	UNSPECIFIED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	-	-	-	DIE	DIP	DIP	SOP	SOP
封装等效代码	DIP16,.3	-	-	-	DIE OR CHIP	DIP16,.3	DIP16,.3	SOP16,.4	SOP16,.4
封装形状	RECTANGULAR	-	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	-	-	UNCASED CHIP	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	-	-	-	240	240	-	240	240
电源	5,+-15 V	-	-	-	5,+-15 V	5,+-15 V	5,+-15 V	5,+-15 V	5,+-15 V
认证状态	Not Qualified	-	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	15 V	-	-	-	15 V	15 V	-	15 V	15 V
表面贴装	NO	-	-	-	YES	NO	NO	YES	YES
最长断开时间	300 ns	-	-	-	300 ns	200 ns	-	300 ns	300 ns
最长接通时间	600 ns	-	-	-	600 ns	400 ns	600 ns	600 ns	600 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	-	-	-	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS	-	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	-	-	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	-	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE	-	-	-	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	-	-	-	-	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	-	-	-	UPPER	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	-	-	NOT SPECIFIED	20	-	20	20

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