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AUIRF1018ES

产品描述MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小643KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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AUIRF1018ES概述

MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET

AUIRF1018ES规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明D2PAK-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
其他特性AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)88 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)79 A
最大漏极电流 (ID)79 A
最大漏源导通电阻0.0084 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)315 A
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

AUIRF1018ES相似产品对比

AUIRF1018ES AUIRF1018ESTRL
描述 MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks 16 weeks
其他特性 AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 88 mJ 88 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 79 A 79 A
最大漏极电流 (ID) 79 A 79 A
最大漏源导通电阻 0.0084 Ω 0.0084 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W 110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 315 A 315 A
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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