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G5851-11

产品描述InGaAs PIN photodiode
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小125KB,共4页
制造商Hamamatsu
官网地址http://www.hamamatsu.com
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G5851-11概述

InGaAs PIN photodiode

G5851-11规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hamamatsu
包装说明TO-8, 6 PIN
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
最大暗电源100 nA
红外线范围YES
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度70 °C
最低工作温度-40 °C
光电设备类型PIN PHOTODIODE
峰值波长1750 nm
最小反向击穿电压2 V
半导体材料InGaAs
形状ROUND
尺寸1 mm
表面贴装NO

G5851-11相似产品对比

G5851-11 G8421-03 G8421_06 G8421-05 G5851-21 G5851-23 G5851-203 G5851-13 G5851-103
描述 InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode
包装说明 TO-8, 6 PIN TO-18, 3 PIN - TO-18, 3 PIN TO-8, 6 PIN TO-8, 6 PIN TO-8, 6 PIN TO-8, 6 PIN TO-8, 6 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow unknow unknow unknow
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大暗电源 100 nA 300 nA - 500 nA 50 nA 1000 nA 15 nA 2000 nA 30 nA
红外线范围 YES YES - YES YES YES YES YES YES
功能数量 1 1 - 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 70 °C 85 °C - 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
光电设备类型 PIN PHOTODIODE PIN PHOTODIODE - PIN PHOTODIODE PIN PHOTODIODE PIN PHOTODIODE PIN PHOTODIODE PIN PHOTODIODE PIN PHOTODIODE
峰值波长 1750 nm 1750 nm - 1750 nm 1750 nm 1750 nm 1750 nm 1750 nm 1750 nm
最小反向击穿电压 2 V 2 V - 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
尺寸 1 mm 0.3 mm - 0.5 mm 1 mm 3 mm 0.3 mm 3 mm 0.3 mm
Base Number Matches - 1 - 1 1 1 1 1 1

 
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