MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IRL630STRR | IRL630STRL | |
---|---|---|
描述 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | D2PAK | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 9 A | 9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω | 0.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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