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IRL630STRR

产品描述MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRL630STRR概述

MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

IRL630STRR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRL630STRR相似产品对比

IRL630STRR IRL630STRL
描述 MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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