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IPD50R650CEBTMA1

产品描述MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPD50R650CEBTMA1在线购买

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IPD50R650CEBTMA1概述

MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2

IPD50R650CEBTMA1规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage500 V
Id - Continuous Drain Current9 A
Rds On - Drain-Source Resistance590 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge15 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
69 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
2.3 mm
长度
Length
6.5 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
6.22 mm
Fall Time13 ns
Rise Time5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
Typical Turn-Off Delay Time27 ns
Typical Turn-On Delay Time6 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz

IPD50R650CEBTMA1相似产品对比

IPD50R650CEBTMA1 IPD50R650CE
描述 MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3 TO-252-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V 500 V
Id - Continuous Drain Current 9 A 9 A
Rds On - Drain-Source Resistance 590 mOhms 590 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V 2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V
Qg - Gate Charge 15 nC 15 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Configuration Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
69 W 69 W
Channel Mode Enhancement Enhancement
高度
Height
2.3 mm 2.3 mm
长度
Length
6.5 mm 6.5 mm
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
宽度
Width
6.22 mm 6.22 mm
Fall Time 13 ns 13 ns
Rise Time 5 ns 5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500 2500
Typical Turn-Off Delay Time 27 ns 27 ns
Typical Turn-On Delay Time 6 ns 6 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz 0.139332 oz
系列
Packaging
Reel Reel
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