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NSVBC123JPDXV6T1G

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小139KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NSVBC123JPDXV6T1G概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR

NSVBC123JPDXV6T1G规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHSDetails
系列
Packaging
Reel
资格
Qualification
AEC-Q100
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
4000

NSVBC123JPDXV6T1G相似产品对比

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描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP Fixed Resistor, Thin Film, 0.4W, 2640ohm, 200V, 0.05% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1010, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Reach Compliance Code - compliant compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 - 6 2 6
最高工作温度 - 150 °C 125 °C 150 °C
封装形式 - SMALL OUTLINE SMT SMALL OUTLINE

 
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