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NSBC123JPDXV6T1G: 产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小139KB，共10页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
制造商包装代码	463A-01
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Samacsys Description	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	NSBC123JPDXV6T1G	CC5-26400AKSTNKWS	NSBC123JPDXV6T5G	NSVBC123JPDXV6T1G
描述	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP	Fixed Resistor, Thin Film, 0.4W, 2640ohm, 200V, 0.05% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1010,	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP	Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
端子数量	6	2	6	-
最高工作温度	150 °C	125 °C	150 °C	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMT	SMALL OUTLINE	-

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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