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1N5399GP/58

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5399GP/58概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

1N5399GP/58规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-15
包装说明PLASTIC, DO-15, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5391GP thru 1N5399GP
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Rectifier
FEATURES
SUPERECTIFIER
®
• Superectifier
application
structure
for
high
reliability
• Cavity-free glass-passivated junction
• Low forward voltage drop
• Low leakage current, typical I
R
less than 0.1 μA
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
DO-204AC (DO-15)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
max.
1.5 A
50 V to 1000 V
50 A
5.0 μA
1.4 V
175 °C
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AC, molded epoxy over glass body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
(1)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse
voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
rectified current 0.375" (9.5 mm)
lead length at T
L
= 70 °C
Peak forward surge current
8.3 ms single half sine-wave
super-imposed on rated load
Maximum full load reverse
current, full cycle average 0.375"
(9.5 mm) lead length at T
A
= 70 °C
Operating junction and storage
temperature range
Note
(1)
JEDEC registered values
Document Number: 88515
Revision: 15-Mar-11
For technical questions within your region, please contact one of the following:
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
1N53
91GP
50
35
50
1N53
92GP
100
70
100
1N53
93GP
200
140
200
1N53
94GP
300
210
300
1N53
95GP
400
280
400
1.5
1N53
96GP
500
350
500
1N53
97GP
600
420
600
1N53
98GP
800
560
800
1N53
99GP
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
50
A
I
R(AV)
300
μA
T
J
, T
STG
- 65 to + 175
°C
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