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GS8160E18BGT-150V

产品描述512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
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文件大小593KB,共23页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准
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GS8160E18BGT-150V概述

512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100

512K × 36 高速缓存 静态随机存储器, 5.5 ns, PQFP100

GS8160E18BGT-150V规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHTECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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