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GS8161E36T-225

产品描述1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
产品类别存储    存储   
文件大小597KB,共36页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8161E36T-225概述

1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs

GS8161E36T-225规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)225 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2.3 V
最大压摆率0.265 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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