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SI7392DP-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 15A 1.8W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI7392DP-T1-E3在线购买

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SI7392DP-T1-E3概述

MOSFET 30V 15A 1.8W

SI7392DP-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)45 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.00975 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si7392DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.00975 at V
GS
= 10 V
0.01375 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
13
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• Extremely Low Q
gd
for Low Switching Losses
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package with Low 1.07 mm Profile
• 100 % R
g
Tested
• 100 % UIS Tested
• Complaint to RoHS Directive 2002/95/EC
PowerPAK SO-8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
APPLICATIONS
• High-Side DC/DC Conversion
- Notebook
- Server
G
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
Bottom View
Ordering Information:
Si7392DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7392DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
5
3.2
- 55 to 150
260
4.1
30
45
1.8
1.1
mJ
W
°C
15
12
± 50
1.5
10 s
30
± 20
9
7
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
20
53
3.5
Maximum
25
70
4.5
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72165
S11-0212-Rev. G, 14-Feb-11
www.vishay.com
1

SI7392DP-T1-E3相似产品对比

SI7392DP-T1-E3 SI7392DP-T1-GE3
描述 MOSFET 30V 15A 1.8W MOSFET 30V 15A 5.0W 9.75mohm @ 10V
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 45 mJ 45 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A 9 A
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.00975 Ω 0.00975 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XDSO-C5 R-XDSO-C5
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A 50 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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