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SI4948EY-T1-E3

产品描述MOSFET 60V 3.1A 2.4W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4948EY-T1-E3在线购买

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SI4948EY-T1-E3概述

MOSFET 60V 3.1A 2.4W

SI4948EY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si4948EY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 60
R
DS(on)
(Ω)
0.120 at V
GS
= - 10 V
0.150 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
± 3.1
± 2.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• 175 °C Maximum Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
D
1
Ordering Information:
Si4948EY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4948EY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
± 3.1
± 2.6
± 30
- 2.0
2.4
1.7
- 55 to 175
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Symbol
R
thJA
Limit
62.5
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Document Number: 70166
S09-1389-Rev. F, 20-Jul-09
www.vishay.com
1

SI4948EY-T1-E3相似产品对比

SI4948EY-T1-E3 SI4948EY SI4948EY-T1
描述 MOSFET 60V 3.1A 2.4W MOSFET 60V 3.1A 2.4W MOSFET 60V 3.1A 2.4W
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V - 60 V
最大漏源导通电阻 0.12 Ω - 0.12 Ω
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
元件数量 2 - 2
端子数量 8 - 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A - 30 A
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世)
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最大漏极电流 (ID) - 3.1 A 3.1 A

 
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