Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 369C |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 300 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 15 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 10 MHz |
| NJVMJD340T4G | NJVMJD350T4G | |
|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR |
| Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2 |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | 369C | 369C |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 6 weeks |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 300 V | 300 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 15 W | 15 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 10 MHz | 10 MHz |
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